سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:۲۵۰,۰۰۰ IOPS
کنترل کننده:SAMSUNG Phoenix
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:۵۵۰,۰۰۰ IOPS
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:۱۵۰۰G
میانگین عمر:۱.۵ میلیون ساعت (MTBF) و (۱۵۰TB (TBW
نوع حافظه فلش:MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:۲۳۰۰ MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:۳۵۰۰ MB/s
نقد و بررسیها
پاکسازی فیلترهنوز بررسیای ثبت نشده است.